[发明专利]一种利用周期性散射结构提高LED芯片出光效率的方法在审
| 申请号： | 201611219372.9 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106784232A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陈湛旭;万巍;陈泳竹;何影记 | 申请（专利权）人： | 广东技术师范学院 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 林瑞云 |
| 地址： | 510660 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用周期性散射结构提高发光二极管(LED)芯片出光效率的方法，在LED的透明电极层氧化铟锡（ITO）层沉积导电的ITO或者氧化锌(ZnO)纳米颗粒，从而提高LED的出光效率，并且无损器件的电学特性。该工艺步骤为1）在已经制作好厚金电极的LED芯片上制备单层密排的聚苯乙烯（PS）纳米球；2）可以用氧等离子体刻蚀PS纳米球的尺寸，控制掩膜球的大小；3）沉积ITO或ZnO薄膜；4）去掉掩膜，获得周期性的ITO或ZnO纳米结构。本发明是在ITO的表面制作附加的ITO或ZnO纳米结构，可以有效地把ITO内部的波导模耦合出来，在整个过程没有刻蚀到LED芯片，从而不会影响器件的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 周期性 散射 结构 提高 led 芯片 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种利用周期性散射结构提高 LED芯片出光效率的方法，其特征在于：对于已经制备好厚金电极的LED芯片，在芯片的透明电极ITO层沉积周期性纳米颗粒或者纳米孔阵结构，利用纳米颗粒散射提高LED的出光效率，所述的纳米结构材料是在可见光波段透过率较高的导电材料。
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