[发明专利]半导体装置及其制造方法和使用电脑设计其布局的方法有效

申请号：	201611219689.2	申请日：	2016-12-26
公开（公告）号：	CN106952869B	公开（公告）日：	2020-02-04
发明（设计）人：	吴於贝;魏圣轩;李莉渝;吴岱洋;陈殿豪;郑价言	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L23/522;H01L21/762
代理公司：	72003 隆天知识产权代理有限公司	代理人：	李昕巍;章侃铱
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：	本公开实施例提供一种半导体装置，包括设置于基板上方的第一层间介电层，金属导线，设置于第一层间介电层和金属导线上方的第二层间介电层，第一空气间隙和第二空气间隙。金属导线内嵌于第一层间介电层中，金属导线之间以第一间隙或第二间隙配置，第二间隙的长度大于第一间隙的长度。第一空气间隙，利用第二层间介电层形成，第一空气间隙形成于第一区域中，且夹设于以第一间隙配置的相邻两条金属导线之间。第二空气间隙，利用第二层间介电层形成，第二空气间隙形成于第二区域中，且夹设于以大于第一间隙的一间隙配置的相邻两条金属导线之间。没有相邻两条金属导线以小于第一间隙的一间隙配置。
搜索关键词：	半导体装置及其制造方法使用电脑设计布局
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【主权项】：

1.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：/n于一基板上方形成一第一层间介电层；/n于该些第一层间介电层中形成第一凹陷；/n于该些第一凹陷中形成金属导线；/n于该些金属导线和该些第一层间介电层上方形成一遮罩层；/n通过图案化该遮罩层形成一第一开口和一第二开口；/n通过蚀刻该些第一层间介电层形成对应于该第一开口的一第一槽和对应于该第二开口的一第二槽；以及/n形成一第二层间介电层，以便于该第一槽中形成一第一空气间隙，且于该第二槽中形成一第二空气间隙，其中：/n该些金属导线之间以一第一间隙或一第二间隙配置，该第二间隙的长度大于该第一间隙的长度，/n于一第一区域中形成的该第一空气间隙是夹设于以该第一间隙配置的两条相邻的该些金属导线之间，/n于一第二区域中形成的该第二空气间隙是夹设于以该第二间隙配置的两条相邻的该些金属导线之间，/n该些金属导线以一第一方向延伸，以及/n该第一开口沿该第一方向的一长度大于该第二开口沿该第一方向的一长度。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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