[发明专利]一种改善离子注入监控的方法在审
| 申请号： | 201611220060.X | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106783687A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 杜龙欢;唐云;孙小虎;罗湘;谭灿健 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善离子注入监控的方法，包括对监控片进行氧化，在所述监控片的表面生长氧化层；对表面具有所述氧化层的监控片进行离子注入；对离子注入后的所述监控片进行杂质激活退火；去除退火后的所述监控片表面的氧化层；测量所述监控片的方块电阻。所述改善离子注入监控的方法，通过先在监控片上生长氧化层，注入的离子穿过氧化层注入到监控片内，氧化层保护了监控片的表面而且减少激活退火过程中注入剂量的损失，在去除氧化层后，测量方块电阻，可以有效的改善离子注入监控的准确性和对比性，从而降低因监控导致对机台状态的误判，有利于提高机台使用率和降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 离子 注入 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种改善离子注入监控的方法，其特征在于，包括：对监控片进行氧化，在所述监控片的表面生长氧化层；对表面具有所述氧化层的监控片进行离子注入；对离子注入后的所述监控片进行杂质激活退火；去除退火后的所述监控片表面的氧化层；测量所述监控片的方块电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
