[发明专利]一种InGaN基黄色发光二极管结构

摘要

本发明公开了一种InGaN基黄色发光二极管结构，它包括衬底，在衬底上由下至上依次生长有缓冲层、n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层，其特征在于：准备层和黄光多量子阱层位置包含有一定数量和大小的倒六角锥结构，准备层是In组分较高的In_xGa_(1‑x)N厚单层结构，In_xGa_(1‑x)N层厚度为50‑200nm。In组分较高的In_xGa_(1‑x)N厚单层结构准备层可显著弛豫了黄光多量子阱层所受的张应力，获得高质量的黄光多量子阱发光层，同时位于准备层及黄光多量子阱层区域的倒六角锥结构可大幅提升p型载流子(空穴)的注入效率，从而提升黄色发光二极管的发光效率。

主权项

1.一种InGaN基黄色发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层，特征是：在准备层和黄光多量子阱层的中间设有向上开口的倒六角锥结构；所述准备层是In_xGa_(1‑x)N单层结构，其中0.03≤x≤0.15，In_xGa_(1‑x)N层的厚度为h_x，50nm≤h_x≤200nm；黄光多量子阱层为In_zGa_(1‑z)N/In_wGa_(1‑w)N周期结构，其中0.2≤z≤0.4，0≤w≤0.15；黄光多量子阱层的周期数为m，In_zGa_(1‑z)N层的厚度为h_z，In_wGa_(1‑w)N层的厚度为h_w，其中3≤m≤10，2nm≤h_z≤3nm，7nm≤h_w≤20nm。