[发明专利]一种制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺及玻璃在审
| 申请号： | 201611223416.5 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106835038A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 张忠义 | 申请（专利权）人： | 深圳市三鑫精美特玻璃有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C03C17/34;C23C14/56 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，该工艺基于直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线实现，包括有如下步骤步骤S1，在玻璃基板上先直流磁控溅射沉积ITO纳米膜；步骤S2，在ITO纳米膜上磁控溅射沉积WO3阴极电致变色纳米薄膜，该步骤中，直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线的溅射室内，采用两对WO陶瓷靶材，溅射过程中由气体质量流量计控制通入溅射室内的反应气体和溅射粒子进行反应，在ITO纳米膜上生成稳定的WO3阴极电致变色纳米薄膜。本发明具有薄膜与基片附着力强、所获的薄膜纯度高、致密性和成膜均匀性好等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 变色 薄膜 中频 反应 溅射 工艺 玻璃 | ||
【主权项】：
一种制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，其特征在于，该工艺基于直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线实现，包括有如下步骤：步骤S1，在玻璃基板(1)上先直流磁控溅射沉积ITO纳米膜(2)；步骤S2，在ITO纳米膜(2)上磁控溅射沉积WO3阴极电致变色纳米薄膜(3)，该步骤中，直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线的溅射室内，采用两对WO陶瓷靶材，溅射过程中由气体质量流量计控制通入溅射室内的反应气体和溅射粒子进行反应，在ITO纳米膜(2)上生成稳定的WO3阴极电致变色纳米薄膜。
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