[发明专利]具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构及制备方法在审
| 申请号： | 201611224131.3 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106783956A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;袁昊;汤晓燕;元磊;张艺蒙;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)61223 | 代理人： | 潘宏伟 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构，包括依次堆叠的衬底层和第一半导体层，第一半导体层表面设有多个间隔设置的沟槽结构，每个沟槽结构的沟槽侧壁与沟槽底部之间夹角为900～1450，沟槽结构上方覆盖钝化层；每个沟槽结构下方均设有一个场限环结构，场限环结构设于第一半导体层内，且每个沟槽结构下方的场限环结构邻靠沟槽侧壁和沟槽底部设置，并包围上方对应的沟槽结构；第一半导体层内还设有有源区，其与钝化层部分接触。本发明在传统平面场限环结构的基础上加入可变角度侧壁的沟槽结构，改变了场限环的P‑N结结深及形貌，增大了结边缘曲率，缓解了结边缘的电场集中效应，从而提高场限环终端结构在反向耐压时的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 侧壁 可变 角度 沟槽 场限环 终端 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构，其特征在于，包括：碳化硅衬底层(101)；形成于所述碳化硅衬底层(101)上第一半导体层(102)，所述第一半导体层(102)具有第一导电类型；设置于所述第一半导体层(102)表面的多个沟槽结构，多个沟槽结构间隔设置，每个所述沟槽结构的沟槽侧壁(104)与沟槽底部(105)之间的夹角为90°～145°；覆盖于所述沟槽结构上方的钝化层(106)；多个场限环结构(103)，所述场限环结构(103)具有第二导电类型，每个所述沟槽结构的沟槽侧壁(104)下方与沟槽底部(105)下方均对应设有一个场限环结构(103)，所述场限环结构(103)设于所述第一半导体层(102)内，且每个沟槽结构下方的所述场限环结构(103)邻靠沟槽侧壁(104)和沟槽底部(105)设置，并包围上方对应的沟槽结构；有源区(107)，所述有源区(107)具有第二导电类型，所述有源区(107)设置于所述第一半导体层(102)内，且与所述钝化层(106)部分接触。
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