[发明专利]一种超低电阻半导电缓冲阻水带在审

专利信息
申请号: 201611224307.5 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN106782827A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 李鑫鑫;王巍 申请(专利权)人: 沈阳东铄电材有限公司
主分类号: H01B7/288 分类号: H01B7/288;H01B9/00
代理公司: 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙)11426 代理人: 李娜,刘冬梅
地址: 110144 辽宁省沈阳市*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种超低电阻半导电缓冲阻水带,该半导电缓冲阻水带包括半导电无纺布Ⅰ(10)、半导电无纺布Ⅱ(20)、半导电无纺布Ⅰ(10)和半导电无纺布Ⅱ(20)内侧分别涂覆胶黏剂而形成的粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21)、以及粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21)之间铺设吸水材料形成的阻水层(30),粘结层Ⅰ(11)和阻水层(30)通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅰ(111),粘结层Ⅱ(21)和阻水层(30)通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅱ(211)。本发明中半导电缓冲阻水带结构简单,表面电阻和体积电阻率远低于当前产品,可适用于超高压电缆的缓冲层。
搜索关键词: 一种 电阻 导电 缓冲 阻水带
【主权项】:
一种半导电缓冲阻水带,包括半导电无纺布Ⅰ(10)和半导电无纺布Ⅱ(20),其特征在于,在所述半导电无纺布Ⅰ(10)和半导电无纺布Ⅱ(20)内侧分别设有粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21),优选通过在半导电无纺布Ⅰ(10)和半导电无纺布Ⅱ(20)内侧分别涂覆胶黏剂而形成,更优选在所述粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21)之间设有阻水层(30),优选通过在所述粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21)之间铺设吸水材料而形成,其中,粘结层Ⅰ(11)和阻水层(30)通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅰ(111),并且,粘结层Ⅱ(21)和阻水层(30)通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅱ(211)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳东铄电材有限公司,未经沈阳东铄电材有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611224307.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top