[发明专利]InGaN基黄色发光二极管结构

摘要

本发明公开了一种InGaN基黄色发光二极管结构，它包括衬底，在衬底上由下至上依次生长有缓冲层、n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层，特征是准备层和黄光多量子阱层位置包含有倒六角锥结构，准备层是InxGa(1‑x)N/InyGa(1‑y)N叠层结构，x＞y，InxGa(1‑x)N层厚度是InyGa(1‑y)N层厚度的2‑5倍。平均In组分较高的InxGa(1‑x)N/InyGa(1‑y)N叠层结构准备层可显著弛豫了黄光多量子阱层所受的张应力，获得高质量的黄光多量子阱发光层，同时位于准备层及黄光多量子阱层区域的倒六角锥结构可大幅提升p型载流子(空穴)的注入效率，从而提升黄光发光二极管的发光效率。

主权项

InGaN基黄色发光二极管结构，包括衬底，在衬底上由下至上依次生长有缓冲层、n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层，其特征在于：所述准备层和黄光多量子阱层位置包含有倒六角锥结构；所述准备层是InxGa(1‑x)N/InyGa(1‑y)N叠层结构，其中0.03≤x≤0.15，0≤y≤0.05，且x＞y；所述准备层叠层周期数为k，InxGa(1‑x)N层的厚度为hx，InyGa(1‑y)N层的厚度为hy，其中10≤k≤100，1.5nm≤hx≤20nm，0.5nm≤hy≤4nm，且hx与hy的比值范围为2‑‑5；所述黄光多量子阱层为InzGa(1‑z)N/InwGa(1‑w)N周期结构，其中0.2≤z≤0.4，0≤w≤0.15；所述黄光多量子阱层周期数为m，InzGa(1‑z)N层的厚度为hz，InwGa(1‑w)N层的厚度为hw，其中3≤m≤10，2nm≤hz≤3nm，7nm≤hw≤20nm。