[发明专利]一种NAND闪存芯片的测试样本有效
| 申请号： | 201611224670.7 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108242252B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 台生斌 | 申请（专利权）人： | 兆易创新科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种NAND闪存芯片的测试样本，其中，所述测试样本包括多个相同的样本区域，每个样本区域包括多个相邻的数据块，所述多个相邻的数据块用于进行不同擦写次数的测试；所述多个相同的样本区域中，任意两个相邻的样本区域之间间隔预设数量的相邻数据块。本发明实施例通过将多个相邻的数据块构成样本区域，用于进行不同擦写次数的测试，并在测试样本中以一定的间隔均匀分布多个相同的样本区域，从而在单芯片上实现多种擦写次数的测试，不仅降低了测试成本，同时又能覆盖不同擦写次数的测试，实现NAND闪存芯片的基本性能评估。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 闪存 芯片 测试 样本 | ||
【主权项】：
1.一种NAND闪存芯片的测试样本，其特征在于，所述测试样本包括多个相同的样本区域，每个样本区域包括多个相邻的数据块，所述多个相邻的数据块用于进行不同擦写次数的测试；所述多个相同的样本区域中，任意两个相邻的样本区域之间间隔预设数量的相邻数据块。
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