[发明专利]一种集成于MCU中的低功耗高驱动LCD偏压驱动电路有效

专利信息
申请号: 201611225144.2 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN108242221B 公开(公告)日: 2023-10-17
发明(设计)人: 饶喜冰;陈恒江;任罗伟;华彬 申请(专利权)人: 无锡中微爱芯电子有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 代理人: 张宇
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了偏压驱动技术领域的一种集成于MCU中的低功耗高驱动LCD偏压驱动电路,包括NMOS管N1,所述NMOS管N1的G极设有CP21信号输出端口,所述NMOS管N1的S极接地,所述NMOS管N1的D极并接有PMOS管P3的D极和PMOS管P4的G极,通过第一VLCD23端口和第二VLCD23端口接收时钟信号CP来控制对电容接法的打开/关闭,使电量能够不断重新分配,并稳定于所需的偏压值,内部集成偏压电路无需专用的外置LCD显示驱动电路,设计简单,节约成本,该电路的结构还保证了较小的静态电流和较强的驱动能力,并且效率很高,功耗小。
搜索关键词: 一种 集成 mcu 中的 功耗 驱动 lcd 偏压 电路
【主权项】:
1.一种集成于MCU中的低功耗高驱动LCD偏压驱动电路,包括NMOS管N1,其特征在于:所述NMOS管N1的G极设有CP21信号输出端口,所述NMOS管N1的S极接地,所述NMOS管N1的D极并接有PMOS管P3的D极和PMOS管P4的G极,所述PMOS管P3的G极设有CP21信号输出端口,所述PMOS管P3的S极并接有PMOS管P4的S极、PMOS管P1的D极和VB端口,所述PMOS管P4的D极串接有第一VLCD3端口,所述PMOS管P1的G极设有CP51B信号输出端口,所述PMOS管P1的S极串接有VDD,所述VB端口并接有电容C1的输入端和PMOS管P5的S极,所述电容C1的输出端串接有VA端口,所述PMOS管P5的G极设有CP51信号输出端口,所述PMOS管P5的B极并接有PMOS管P6的S极和PMOS管P2的D极,所述PMOS管P5的D极并接有PMOS管P8的S极和第一VLCD2端口,所述PMOS管P2的G极设有CP51N信号输出端口,所述PMOS管P2的S极串接有VDD,所述PMOS管P6的G极设有CP51信号输出端口,所述PMOS管P6的D极并接有第一VLCD2端口和第二VLCD2端口,所述VA端口并接有PMOS管P7的D极、NMOS管N2的D极和PMOS管P8的D极,所述PMOS管P8的G极设有CP51B信号输出端口,所述PMOS管P7的G极设有CP51信号输出端口,所述PMOS管P7的B极和S极分别串接有第一VLCD23端口和第一VLCD3端口,所述NMOS管N2的G极和S极分别设有CP21信号输出端口和地线,所述第二VLCD2端口分别串接有PMOS管P9的S和B极,所述PMOS管P9的G极设有CP51N端口,所述PMOS管P9的D极并接有PMOS管P10的S极和第二VLCD23端口,所述PMOS管P10的B和D极分别串接有第二VLCD23端口和第二VLCD3端口,所述第二VLCD3端口和第一VLCD3端口串接。
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