[发明专利]在半导体元件表面形成类金刚石碳层的方法在审
| 申请号： | 201611225555.1 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108239746A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 黄继勇 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的在半导体元件表面形成类金刚石碳层的方法，包括：在半导体元件的表面形成一金属过渡层；在所述金属过渡层上形成一碳化金属过渡层；以及在所述碳化金属过渡层上形成一类金刚石碳层。由此制得的类金刚石碳层具有良好的膜基结合力、高致密性、高硬度防刮耐磨性及低热膨胀系数。 | ||
| 搜索关键词： | 类金刚石碳层 半导体元件表面 金属过渡层 碳化金属 过渡层 低热膨胀系数 半导体元件 金刚石碳层 膜基结合力 耐磨性 表面形成 高致密性 高硬度 防刮 | ||
【主权项】：
1.在半导体元件表面形成类金刚石碳层的方法，其特征在于，包括：在半导体元件的表面形成一金属过渡层；在所述金属过渡层上形成一碳化金属过渡层；以及在所述碳化金属过渡层上形成一类金刚石碳层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞新科技术研究开发有限公司，未经东莞新科技术研究开发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611225555.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
