[发明专利]一种QLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201611225783.9 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106856228A | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李乐;向超宇;张滔;辛征航;张东华 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 | 代理人： | 王永文,刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种QLED器件及其制备方法，所述QLED器件为柱状结构，所述QLED器件从内到外依次包括内层电极、功能层和外层电极。本发明对传统层状QLED器件结构进行结构改进和优化，形成柱状结构的QLED器件，通过柱状结构来平衡载流子注入速率，从而提高器件发光效率，同时柱状结构也可提高出器件出光率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件为柱状结构，所述QLED器件从内到外依次包括内层电极、功能层和外层电极。
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