[发明专利]带有绝缘埋层的衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201611225994.2 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106783725B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 魏星;常永伟;陈猛;陈国兴;费璐;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底具有一支撑层和设置在支撑层表面的一绝缘层；实施第一次离子注入，向所述衬底内注入改性离子，所述绝缘层和支撑层的界面与改性离子浓度的高斯分布峰之间的距离小于50nm，以使所述改性离子能够在所述绝缘层中形成纳米团簇；实施第二次离子注入，继续向所述绝缘层内注入改性离子，所采用的注入离子与第一次离子注入的步骤相同，本步骤中改性离子浓度的高斯分布峰与上一次离子注入的高斯分布峰之间的距离小于80nm，以实现纳米团簇分布区域的展宽。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 绝缘 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底具有一支撑层和设置在支撑层表面的一绝缘层；实施第一次离子注入，向所述衬底内注入改性离子，所述绝缘层和支撑层的界面与改性离子浓度的高斯分布峰之间的距离小于50nm，以使所述改性离子能够在所述绝缘层中形成纳米团簇；所述绝缘层和所述支撑层的界面位于第一次离子注入的所述改性离子浓度的高斯分布峰的左侧有效范围内或者右侧有效范围内；实施第二次离子注入，继续向所述绝缘层内注入改性离子，所采用的注入离子与第一次离子注入的步骤相同，本步骤中改性离子浓度的高斯分布峰与上一次离子注入的高斯分布峰之间的距离小于80nm，以实现纳米团簇分布区域的展宽；第二次离子注入的改性离子浓度的高斯分布峰位于上一次离子注入的高斯分布峰的左侧有效边界内或者右侧有效边界内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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