[发明专利]带有载流子俘获中心的衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201611225996.1 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107146758B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 魏星;常永伟;陈猛;陈国兴;费璐;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，包括如下步骤：在半导体衬底中注入起泡离子，用于形成剥离层，并在绝缘层中注入改性离子，用于形成纳米团簇；提供一支撑衬底；以所述绝缘层为中间层，将所述支撑衬底与所述半导体衬底键合；对键合后衬底实施第一次热处理，使注入起泡离子的位置形成剥离层，并在剥离层的位置使所述半导体衬底发生剥离；对衬底实施快速热退火；对快速热退火后的半导体衬底实施第二次热处理，以加固键合表面并在改性离子的注入位置形成纳米团簇。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 载流子 俘获 中心 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面具有绝缘层；/n在半导体衬底中注入起泡离子，用于形成剥离层，并在绝缘层中注入改性离子，用于形成纳米团簇；/n提供一支撑衬底；/n以所述绝缘层为中间层，将所述支撑衬底与所述半导体衬底键合；/n对键合后衬底实施第一次热处理，使注入起泡离子的位置形成剥离层，并在剥离层的位置使所述半导体衬底发生剥离；/n对衬底实施快速热退火；/n对快速热退火后的半导体衬底实施第二次热处理，以加固键合表面并在改性离子的注入位置形成纳米团簇；/n所述第二次热处理进一步包括：第一退火步骤，所述第一退火步骤在含氧气氛中实施，本步骤在衬底表面形成氧化层，所述氧化层的厚度大于40nm；第二退火步骤，在第一退火步骤后实施，第二退火步骤的温度高于第一退火步骤。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新傲科技股份有限公司，未经上海新傲科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611225996.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种给物理网卡分配CPU资源的中断请求装置及方法
- 下一篇：伺服驱动器（8）
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
