[发明专利]高储能密度的铌硅基玻璃储能材料及其制备和应用在审
| 申请号： | 201611226047.5 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106698951A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;刘静然;杨科 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C03C10/00 | 分类号： | C03C10/00;C03C4/16;H01G9/025 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及高储能密度的铌硅基玻璃储能材料及其制备和应用，按摩尔比25.6BaO‑6.4R(2)O‑32Nb2O5‑36SiO2进行配料，所述的R为碱金属或碱土金属，称取BaCO3、R2CO3、Nb2O5和SiO2经球磨混合均匀，高温熔化，制得高温熔体；将高温熔体恒温澄清一段时间后，浇注至预热的金属模具中，淬冷成型，并去应力退火，即制得所述的高储能密度铌硅基玻璃材料；将所得玻璃，切割为0.9～1.2mm的薄片，研磨抛光，可用于储能电容器材料。与现有技术相比，本发明具有制备工艺简单，无需复杂的后处理步骤，制得的玻璃储能材料具有较高的介电常数17～23，平均耐击穿场强为2600～3420kV/cm，材料的储能密度为6.7～11.1J/cm3，可应用于储能电容器材料。 | ||
| 搜索关键词： | 高储能 密度 铌硅基 玻璃 材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
高储能密度的铌硅基玻璃储能材料，其特征在于，该储能材料按摩尔比25.6BaO‑6.4R(2)O‑32Nb2O5‑36SiO2进行配料，所述的R为碱金属或碱土金属。
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