[发明专利]制造半导体器件的方法和对应的器件在审
| 申请号： | 201611226894.1 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107492479A | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | M·莫尔格;F·希梅 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张宁 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，一种制造包括金属化结构(例如再布线层－RDL金属化结构)的方法包括提供封盖堆叠至金属化结构上，其中堆叠包括至少一个镍层，在堆叠中包括镍层的配对，两者之间具有诸如钯或金之类的易延展材料的层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 对应 器件 | ||
【主权项】：
一种制造包括至少一个金属化结构(10)的半导体器件的方法，所述方法包括：－在所述金属化结构(10)上提供封盖堆叠(141、161、142、162)，其中所述堆叠包括至少一个镍层，－在所述堆叠(141、161、142、162)中包括镍层配对(141，142)，所述镍层配对(141，142)在它们之间具有易延展材料(161)的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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