[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法以及光电器件有效
| 申请号： | 201611227126.8 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106653572B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 芦子玉;邬苏东;叶继春;高平奇;丁丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 景怀宇 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种多晶硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1，提供非晶硅薄膜，将所述非晶硅薄膜放入反应室中的水冷样品台上；S2，向所述反应室中通入等离子体气体源，并将所述反应室的压力调节至100Pa至10000Pa；S3，激发所述等离子体气体源并产生等离子体，在所述等离子体环境中，所述非晶硅薄膜发生退火晶化，从而得到所述多晶硅薄膜。本发明通过将非晶硅薄膜置于中压条件下电感耦合产生的射频等离子体环境中，使得所述非晶硅薄膜进行快速退火晶化，从而在低温条件下快速制备多晶硅薄膜；本发明不仅可以使用普通玻璃等廉价衬底，从而极大的降低了制备成本，而且极大的节约了时间成本，同时还具有低沉本、大面积制备和工艺简单的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制备 方法 以及 光电 器件 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：/nS1，提供非晶硅薄膜，将所述非晶硅薄膜放入反应室中的水冷样品台上；/nS2，向所述反应室中通入等离子体气体源，并将所述反应室的压力调节至100Pa至10000Pa，其中，所述等离子体气体源包括氩气和/或氦气，所述等离子体气体源还包括氢气，在所述等离子体气体源中，所述氩气和/或氦气的通入流量为10slm-30slm，所述氢气的通入流量为0.3slm-1.0slm；/nS3，采用射频电源对所述反应室施加一射频电场，调节所述射频电源的功率至10kW-20kW，采用电感耦合或直流电弧方式通过等离子体喷枪产生等离子体，在所述等离子体的环境中，所述非晶硅薄膜发生退火晶化，从而得到所述多晶硅薄膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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