[发明专利]一种变电场原子层沉积系统的控制方法有效
申请号: | 201611227769.2 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN106756886B | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 卢维尔;夏洋;程嵩;李楠;李超波 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于原子层沉积技术领域,公开了一种变电场原子层沉积系统的控制方法,包括:上电极板和下电极板、直流电源、控制箱;通过调节直流电源,实现电场大小的切换;控制箱包含继电器、电容、电感、电阻,通过控制继电器端口的断开与相连,实现电场极性的切换;直流电源与控制箱连接,控制箱与上电极板、下电极板连接。解决了现有技术中对原子层沉积进行电场的快速自动化调节研究匮乏的问题。达到了在原子层沉积设备中实现电场极性和大小的快速任意切换,从而提高原子层沉积吸附反应的饱和度、优化薄膜的结晶和掺杂特性的技术效果。 | ||
搜索关键词: | 控制箱 直流电源 原子层沉积系统 原子层沉积 电场 电场极性 下电极板 变电场 极板 上电 饱和度 继电器 原子层沉积技术 原子层沉积设备 电感 控制继电器 技术效果 吸附反应 电容 电阻 断开 薄膜 掺杂 自动化 优化 研究 | ||
【主权项】:
1.一种变电场原子层沉积系统的控制方法,其特征在于,包括:上电极板和下电极板,所述上电极板和所述下电极板之间产生电场;直流电源,所述直流电源在所述上电极板和所述下电极板之间施加电场;通过调节所述直流电源,实现所述上电极板和所述下电极板之间电场大小的切换;控制箱,所述控制箱包括第一继电器、第二继电器、第三继电器、第四继电器、第一电容、第二电容、第一电感、第二电感、第一电阻;所述继电器有三个端口,其中第一端口和第二端口为常闭端口;通过软件控制,可以使所述第一端口和所述第二端口断开,并使所述第一端口和第三端口相连;所述直流电源的正极连接所述第一继电器的所述第三端口,所述直流电源的负极连接所述第二继电器的所述第三端口;所述第一继电器的所述第二端口和所述第二继电器的所述第二端口之间串联所述第一电阻;所述第一继电器的所述第一端口和所述第三继电器的所述第一端口连接,所述第二继电器的所述第一端口和所述第四继电器的所述第一端口连接;所述第三继电器的所述第二端口串联所述第一电感,所述第一电感与所述上电极板连接;所述第四继电器的所述第二端口串联所述第二电感,所述第二电感与所述下电极板连接;所述第三继电器的所述第二端口和所述第四继电器的所述第二端口并联所述第一电容和所述第二电容;所述第三继电器的所述第二端口与所述第四继电器的所述第三端口连接,所述第三继电器的所述第三端口与所述第四继电器的所述第二端口连接;所述第一电容、第二电容与所述第一电感、第二电感用于滤波,所述第一电阻用于释放所述上电极板和所述下电极板之间的静电;所述直流电源与所述控制箱连接,所述控制箱与所述上电极板、所述下电极板连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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