[发明专利]一种改善欧姆接触电阻的方法在审
| 申请号： | 201611228543.4 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106783569A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张明利;闫稳玉;赵利 | 申请（专利权）人： | 山东聚芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 257091 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善欧姆接触电阻的方法，其包括实施电流退火，将GaN HEMT的S/D极接上探针，在自动探针测试台上就是用探针卡上的探针在整个晶圆上实施；如果这个接触是低电阻的良好接触，则移动到晶圆上的下一个器件；如果检测到高电阻的不良接触，则大于该器件额定值10倍、脉冲宽度达毫秒级的电流脉冲通过探针施加到不良接触上，脉冲重复数次直至接触变得良好。该方法能提高欧姆接触电阻的质量。该方法能提高产品良率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 欧姆 接触 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种改善欧姆接触电阻的方法，其特征在于：包括电流退火，其具体步骤为：将GaN HEMT的S/D极接上探针，在自动探针测试台上就是用探针卡上的探针在整个晶圆上实施；如果这个接触是低电阻的良好接触，则移动到晶圆上的下一个器件；如果检测到高电阻的不良接触，则大于该器件额定值10倍、脉冲宽度达毫秒级的电流脉冲通过探针施加到不良接触上，脉冲重复数次直至接触变得良好。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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