[发明专利]量测阵列基板内轻掺杂漏区长度的方法

摘要

本发明提供一种量测阵列基板内轻掺杂漏区长度的方法，先使用强碱性溶液逐层腐蚀剥离TFT(2)的源极(251)与漏极(252)及其上的膜层，再使用强酸性溶液腐蚀剥离层间绝缘层(24)与未被栅极(23)遮盖的栅极绝缘层(22)，最后使用电子扫描显微镜拍摄阵列基板的俯视图像，在该俯视图像上量测栅极(23)的边缘至轻掺杂漏区(212)与重掺杂区(213)交界线的长度即轻掺杂漏区(212)的实际长度，能够有效监控LDD掺杂制程，提升产品的稳定性与可靠性。

主权项

1.一种量测阵列基板内轻掺杂漏区长度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一阵列基板；所述阵列基板具有多个像素区域，每一像素区域至少包括衬底基板(1)、覆盖衬底基板(1)的缓冲层(11)、及设置在缓冲层(11)上的TFT(2)；所述TFT(2)包括设置在缓冲层(11)上的有源层(21)、覆盖有源层(21)的栅极绝缘层(22)、设在栅极绝缘层(22)上的栅极(23)、覆盖栅极(23)与栅极绝缘层(22)的层间绝缘层(24)、以及分别于栅极(23)的两侧设在层间绝缘层(24)上的源极(251)、与漏极(252)；所述有源层(21)包括沟道区(211)、轻掺杂漏区(212)、及重掺杂区(213)，所述轻掺杂漏区(212)位于沟道区(211)与重掺杂区(213)之间；步骤S2、将所述阵列基板置于强碱性溶液中加热，对源极(251)与漏极(252)及其上的膜层进行腐蚀剥离；步骤S3、吹干上述进行腐蚀剥离后的所述阵列基板，将其置于加热板上，逐滴滴定强酸性溶液，对层间绝缘层(24)与未被栅极(23)遮盖的栅极绝缘层(22)进行腐蚀剥离；步骤S4、将所述阵列基板置于电子扫描显微镜下，使用电子扫描显微镜拍摄所述阵列基板的俯视图像；步骤S5、在电子扫描显微镜拍摄的阵列基板的俯视图像上量测栅极(23)的边缘所在的直线和轻掺杂漏区(212)与重掺杂区(213)交界线的距离即轻掺杂漏区(212)的实际长度。