[发明专利]一种表面改性的氮化物半导体及其制备方法有效
申请号: | 201611229170.2 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN106847667B | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 曹冰;李宗尧;赵恩;杨松;刘伊;吴竹慧;王钦华 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C23C16/34;C23C16/505;C23C16/513 |
代理公司: | 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种表面改性的氮化物半导体及其制备方法。采用射频等离子体增强化学气相沉积方法直接在氮化物半导体表面生长二维或三维垂直结构石墨烯,能够连续调制氮化物半导体表面的疏水性,使氮化物半导体对水的接触角从原来的60°提高到140°,实现亲疏水的可控转换。本发明对氮化物半导体表面改性的方法简单、可控性强,不仅不影响氮化物半导体材料自身的优异性能,还为其附加了表面自清洁能力,在生物电子领域有应用潜力。能够实现连续、可控地改善氮化物半导体表面疏水性。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 改性 氮化物 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种表面改性的氮化物半导体的制备方法,其特征在于采用射频等离子体增强化学气相沉积方法,在氮化物半导体表面直接生长石墨烯,包括如下步骤:/n(1)将氮化物半导体衬底置于距等离子体发生器中心20~60cm位置处,以5~20℃/min的升温速率升温至600~800℃;所述的氮化物半导体衬底材料选自氮化镓、氮化铝、氮化铟及其三元或四元合金;/n(2)以氢气为等离子体工作气体对衬底表面处理1~20min;/n(3)以甲烷为反应气体,等离子体电源的功率为50~100W,沉积温度为600~800℃的条件下,在氮化物半导体表面直接生长二维或三维垂直结构石墨烯,沉积时间为30~400min;/n(4)以2~4℃/min的降温速率降温至室温,得到一种表面改性的氮化物半导体。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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