[发明专利]一种表面改性的氮化物半导体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611229170.2 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN106847667B 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 曹冰;李宗尧;赵恩;杨松;刘伊;吴竹慧;王钦华 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;C23C16/34;C23C16/505;C23C16/513
代理公司: 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 代理人: 陶海锋
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种表面改性的氮化物半导体及其制备方法。采用射频等离子体增强化学气相沉积方法直接在氮化物半导体表面生长二维或三维垂直结构石墨烯,能够连续调制氮化物半导体表面的疏水性,使氮化物半导体对水的接触角从原来的60°提高到140°,实现亲疏水的可控转换。本发明对氮化物半导体表面改性的方法简单、可控性强,不仅不影响氮化物半导体材料自身的优异性能,还为其附加了表面自清洁能力,在生物电子领域有应用潜力。能够实现连续、可控地改善氮化物半导体表面疏水性。
搜索关键词: 一种 表面 改性 氮化物 半导体 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种表面改性的氮化物半导体的制备方法,其特征在于采用射频等离子体增强化学气相沉积方法,在氮化物半导体表面直接生长石墨烯,包括如下步骤:/n(1)将氮化物半导体衬底置于距等离子体发生器中心20~60cm位置处,以5~20℃/min的升温速率升温至600~800℃;所述的氮化物半导体衬底材料选自氮化镓、氮化铝、氮化铟及其三元或四元合金;/n(2)以氢气为等离子体工作气体对衬底表面处理1~20min;/n(3)以甲烷为反应气体,等离子体电源的功率为50~100W,沉积温度为600~800℃的条件下,在氮化物半导体表面直接生长二维或三维垂直结构石墨烯,沉积时间为30~400min;/n(4)以2~4℃/min的降温速率降温至室温,得到一种表面改性的氮化物半导体。/n
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