[发明专利]芯片失效分析方法和装置有效

专利信息
申请号: 201611229910.2 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN108240996B 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 韦俊;陈倩 申请(专利权)人: 无锡华润上华科技有限公司
主分类号: G01N21/95 分类号: G01N21/95
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴平
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种芯片失效定位方法和装置,通过机台连接板将光发射显微镜与加温台盘连接起来,使机台连接板位于光发射显微镜的底座与加温台盘的底座之间。同时,在机台连接板与加温台盘之间设置隔热垫圈;将加温台盘装载于所述光发射显微镜的样品台所处的位置上;将待测试芯片置于加温台盘的台面上,设定加温台盘的温度范围,使待测试芯片处于测试温度下,其中,所述温度范围为140℃‑160℃;待测试芯片上的亮点为待测试芯片的失效位置。因此,能够结合加温台盘使待测试芯片处于测试温度下,再通过光发射显微镜来定位出待测试芯片的失效位置。
搜索关键词: 芯片 失效 分析 方法 装置
【主权项】:
1.一种芯片失效分析方法,用于定位待测试芯片在高温环境下的失效位置,其特征在于,包括以下步骤:制作机台连接板,所述机台连接板预设第一连接部与第二连接部;将第一连接部与光发射显微镜的底座固定连接;将所述第二连接部与加温台盘的底座固定连接,使所述机台连接板位于所述光发射显微镜与所述加温台盘之间;在所述机台连接板与所述加温台盘之间设置隔热垫圈;将与所述机台连接板固定连接后的所述加温台盘安装于所述光发射显微镜的样品台所处的位置上,使所述加温台盘的台面取代所述样品台;将待测试芯片置于所述加温台盘上,设定所述加温台盘的温度范围,使所述待测试芯片处于测试温度下,其中,所述温度范围为140℃‑160℃;标记所述待测试芯片上的亮点,所述亮点为待测试芯片的失效位置。
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