[发明专利]一种降低FinFET寄生电阻的方法有效
| 申请号： | 201611230454.3 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106611782B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 郭奥;刘林林 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/78;H01L21/336;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种降低FinFET寄生电阻的器件结构及其制备方法，该方法包括：制备常规FinFET器件结构，包括制备FinFET硅鳍结构、由栅电极和栅介质层组成的栅叠结构和定义FinFET器件的源漏区域的分步骤；其中，常规FinFET器件结构包括由金属栅电极和栅介质层组成的栅叠结构分别从侧面和表面包裹FinFET硅鳍结构，形成MOSFET的三维沟道；在源漏区域制备催化剂层；生长碳纳米管，形成条形接触孔层M0；其中，条形接触孔层M0的下端覆盖并连接FinFET器件的源漏区域；碳纳米管包括单壁和多壁碳纳米管材料；实现FinFET器件的源漏引出及后道工艺制备，即使条形接触孔层M0的上端与金属层M1相连。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 finfet 寄生 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种降低FinFET寄生电阻的器件结构，其特征在于，包括：FinFET硅鳍结构、由栅电极和栅介质层组成的栅叠结构、用于源漏引出的条形接触孔层M0以及用于后道互连工艺的金属层M1；其中，所述栅叠结构分别从两个侧面和表面包裹所述FinFET硅鳍结构，形成FinFET器件的三维沟道，所述条形接触孔层M0的下端覆盖并连接FinFET器件的源漏区域，上端与所述金属层M1相连，以实现FinFET器件的源漏引出；所述条形接触孔层M0采用单壁或多壁碳纳米管材料。
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