[发明专利]用于制备III-N模板及其继续加工的方法和III-N模板有效
| 申请号： | 201611230901.5 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN107068543B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | F·利普斯基;F·肖尔茨;M·克莱恩;F·哈贝尔 | 申请（专利权）人： | 弗赖贝格化合物原料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/10;C30B25/16;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 邹智弘 |
| 地址： | 德国弗*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及制备III‑N‑模板和制备III‑N‑单晶，其中III表示元素周期表第三主族中选自Al、Ga和In的至少一种元素。通过在晶体生长过程中调节确定的参数可以获得III‑N‑模板，所述模板赋予在异质衬底上生长的晶体层特性，所述特性使得能够获得模板形式的或甚至具有大的III‑N‑层厚的无裂纹的III‑N单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 iii 模板 及其 继续 加工 方法 | ||
【主权项】：
具有包含蓝宝石的衬底和至少一个III‑N晶体层的模板，其中III表示元素周期表第三主族中选自Al、Ga和In的至少一种元素，其中在异质衬底上的区域内或在模板的III‑N晶体层内设置掩膜材料作为中间层，其中在模板的III‑N晶体层内通过一个或两个的以下形变εxx值(i)/(ii)定义：(i)在室温下εxx‑值处于<0的范围，(ii)在生长温度下εxx‑值处于εxx≤0的范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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