[发明专利]装置封装设施及方法及利用DEHT的装置处理设备有效
| 申请号： | 201611233721.2 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN107665835B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 张健;约书亚·皮恩里斯;罗仕剑 | 申请（专利权）人： | PSK有限公司;塞米吉尔有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人： | 李柱天;王彬 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用DEHT的装置包装设施及方法，以及一种利用该DEHT的装置处理设备。该装置封装设施包括：安装单元，该安装单元在第一装置与第二装置之间提供DEHT，以将该第一装置及该第二装置彼此附接；处理单元，该处理单元热处理彼此附接的该第一装置及该第二装置，以移除该DEHT且将该第一装置及该第二装置彼此固定；以及转移单元，该转移单元将彼此附接的该第一装置及该第二装置自该安装单元转移至该处理单元。本发明提供的装置封装设施及方法能够通过使用DEHT替代助熔剂来减小对人体、仪器及环境的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 封装 设施 方法 利用 deht 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种装置封装设施，其包含：一安装单元，其在第一装置与第二装置之间提供双(2‑乙基己基)对苯二酸(bis(2‑ethylhexyl)terephthalate，DEHT)以将该第一装置及该第二装置彼此附接；一处理单元，其热处理彼此附接的该第一装置及该第二装置，以移除该DEHT且将该第一装置及该第二装置彼此固定；以及一转移单元，其将彼此附接的该第一装置及该第二装置自该安装单元转移至该处理单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
