[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层的制备方法

摘要

本发明提供了一种铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，采用如下技术方案以二乙基锌、H2S、H2O分别作为Zn、S、O的前躯体源，采用原子层沉积方法在加热的衬底上交替沉积ZnO薄膜和ZnS薄膜多次，制备得到Zn(O,S)缓冲层。本发明采用原子层沉积技术制备Zn(O,S)薄膜的铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层，可以与其他各层干法制备工艺相匹配，成膜致密均匀，有利于内应力的释放，制备过程中对吸收层无破坏影响。通过调节ZnS和ZnO的生长顺序及生长厚度，可以实现不同组分的Zn(O,S)薄膜的铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层，工艺简单易行，节约生产成本及空间。

主权项

一种铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，其特征在于：以二乙基锌、H2S、H2O分别作为Zn、S、O的前躯体源，采用原子层沉积方法在加热的衬底上交替沉积ZnO薄膜和ZnS薄膜多次，制备得到Zn(O,S)缓冲层。