[发明专利]高密度基板半加成工艺种子层快速蚀刻方法有效
申请号: | 201611234175.4 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN106488658B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 于中尧 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H05K3/06 | 分类号: | H05K3/06 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 任益;邢黎华 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种高密度基板半加成工艺种子层快速蚀刻装置及蚀刻方法,所述速蚀刻装置包括用于对待加工件进行水洗的快排清洗槽、用于对待加工件进行腐蚀和粗化处理的阳极氧化腐蚀槽、用于对表面未蚀刻干净的待加工件进行蚀刻的微蚀槽以及用于对待加工件进行烘干的烘干槽;所述待加工件包括高密度基板,基板上附着有金属种子层,金属种子层上设置有图形电镀线路;经半加成处理的待加工件以垂直挂板方式通过金属挂架按照工艺流程依次悬挂在上述各槽中完成快速蚀刻。本发明将种子层蚀刻和表面粗化一次完成,缩短了工艺流程以及加工时间,降低了工艺成本,提高了加工效率。 | ||
搜索关键词: | 高密度 基板半 加成 工艺 种子 快速 蚀刻 方法 | ||
【主权项】:
高密度基板半加成工艺种子层快速蚀刻装置,其特征在于:包括用于对待加工件(6)进行水洗的快排清洗槽(1)、用于对待加工件进行腐蚀和粗化处理的阳极氧化腐蚀槽(2)、用于对表面未蚀刻干净的待加工件进行蚀刻的微蚀槽(3)以及用于对待加工件进行烘干的烘干槽(4);所述待加工件包括高密度基板(61),基板(61)上附着有金属种子层(62),金属种子层(62)上设置有图形电镀线路(63);经半加成处理的待加工件以垂直挂板方式通过金属挂架(5)按照工艺流程依次悬挂在上述各槽中完成快速蚀刻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611234175.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种摄像模组用的PCB贴附治具
- 下一篇:带防印反装置的键盘电路印刷机