[发明专利]一种硅晶圆的正面激光内切割方法有效
| 申请号： | 201611234705.5 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106825941B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 杨秋松;李立坤;盛建雄;欧阳磊;李帅;王斐;吴佳妮 | 申请（专利权）人： | 武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅晶圆的正面激光内切割方法，所述方法包括：将蓝膜贴在所述硅晶圆背面；将所述硅晶圆正面沟道作为定位基准，对所述硅晶圆进行定位划线；根据所述硅晶圆厚度设置所述激光的内切割焦点位置，利用所述激光沿所述定位划线对所述硅晶圆进行切割，使得所述硅晶圆内部形成N个爆裂点；根据所述N个爆裂点将所述硅晶圆分离成单一的芯片晶粒；如此，利用激光在所述硅晶圆的正面进行切割，无需在背面制作切割定位线，减少了制作工序及操作时间；并且采用激光内切割方法对硅晶圆进行切割，避免了崩边过大的问题，提高了芯片的收益率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 切割 激光 爆裂 划线 背面 切割定位线 定位基准 厚度设置 焦点位置 芯片晶粒 崩边 沟道 蓝膜 制作 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶圆的正面激光内切割方法，其特征在于，所述方法包括：将蓝膜贴在所述硅晶圆背面；将所述硅晶圆正面沟道作为定位基准，对所述硅晶圆进行定位划线；根据所述硅晶圆厚度设置所述激光的内切割焦点位置，利用所述激光沿所述定位划线对所述硅晶圆进行切割，使得所述硅晶圆内部形成N个爆裂点；根据所述N个爆裂点将所述硅晶圆分离成单一的芯片晶粒；其中，所述内切割焦点位于所述硅晶圆厚度的40％‑60％位置处；所述爆裂点的纵向长度为所述硅晶圆厚度的10％‑20％；所述激光的切割线宽小于10μm。
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