[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201611235205.3 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108257915A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极沟槽；在所述栅极沟槽的底部形成高k介电层；在所述高k介电层上方形成牺牲层；在含氧气氛下进行第一退火；去除所述牺牲层。根据本发明的制造方法，在高k介电层上形成牺牲层，再进行退火，除了能够实现减少高k介电层中的缺陷(例如氧空穴)的作用外，还可以利用该牺牲层防止退火过程中过多的氧进入高k介电层，由于高k介电层中缺陷明显减少，因此，本发明的方法改善了器件的可靠性(例如，PBTI和NBTI等可靠性)，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 高k介电层 牺牲层 退火 半导体器件 栅极沟槽 衬底 半导体 制造 空穴 含氧气氛 退火过程 去除 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极沟槽；在所述栅极沟槽的底部形成高k介电层；在所述高k介电层上方形成牺牲层；在含氧气氛下进行第一退火；去除所述牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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