[发明专利]一种神经元晶体管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201611235603.5 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108258044B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/24;H01L29/423;H01L29/43 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种神经元晶体管结构及其制备方法，该结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底之上的绝缘层；位于所述绝缘层上采用二维半导体材料的半导体沟道；位于所述半导体沟道上的栅电位调制结构；位于所述栅电位调制结构之上的碳纳米管栅阵列；分别位于所述碳纳米管栅阵列两端并分别与所述半导体沟道连接的源接触电极和漏接触电极；以及所述碳纳米管栅阵列和栅电位调制结构与所述源接触电极和所述漏接触电极之间的侧墙隔离结构。本发明的神经元晶体管结构，以二维半导体材料为沟道，以金属碳纳米管栅阵列作为多输入栅电极，可使沟道电荷更易控制，显著减小栅极尺寸，有利于解决集成电路中晶体管数目及互连线增多带来的诸多问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 神经元 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种神经元晶体管结构，其特征在于，包括：半导体衬底；绝缘层，位于所述半导体衬底之上；半导体沟道，位于所述绝缘层上，采用二维半导体材料；栅电位调制结构，位于所述半导体沟道上，由下至上依次包括第一介电层、电位调制层和第二介电层；碳纳米管栅阵列，位于所述栅电位调制结构之上，包括多个碳纳米管以及分别引出所述多个碳纳米管的多个栅接触电极；源接触电极和漏接触电极，分别位于所述碳纳米管栅阵列两端，并分别与所述半导体沟道连接。
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