[发明专利]制备钕铁硼磁体的低温烧结方法在审
| 申请号： | 201611236352.2 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106623916A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 张英伟 | 申请（专利权）人： | 京磁新材料有限公司 |
| 主分类号： | B22F3/10 | 分类号： | B22F3/10;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 300000 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备钕铁硼磁体的低温烧结方法，其包括在钕铁硼生坯加热脱气完成后，进行烧结之前，将钕铁硼生坯温度升至高出烧结目标温度5‑15℃，并保温1‑2h。本发明所述制备钕铁硼磁体的低温烧结方法，具有操作简单，磁体更加致密，磁体综合性能好，能耗低的优点，且易于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 钕铁硼 磁体 低温 烧结 方法 | ||
【主权项】：
一种制备钕铁硼磁体的低温烧结方法，其特征在于，包括：在钕铁硼生坯加热脱气完成后，进行烧结之前，将钕铁硼生坯温度升至高出烧结目标温度5‑15℃，并保温1‑2h。
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