[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611237175.X | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108258042A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李力恒;陈佑昇 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/04;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括：一硅基板，具有一凹沟，其中该凹沟的侧壁的晶格方向为(111)，且该凹沟以一第一方向延伸；一外延层，设置于该凹沟的侧壁上；以及一栅极，设置于该外延层上，并电性连接该外延层。本发明的半导体结构及其制造方法使得具有高电子迁移率、高崩溃电压与耐热性质的高电子迁移率晶体管(HEMT)可与互补式金氧半(CMOS)电路同时整合于同一硅(100)基板上，提升系统芯片对于处理功率及射频功率讯号的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 凹沟 半导体结构 外延层 侧壁 高电子迁移率晶体管 电子迁移率 高崩溃电压 互补式金氧 处理功率 电性连接 方向延伸 晶格方向 耐热性质 射频功率 提升系统 硅基板 基板 整合 制造 电路 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：硅基板，具有凹沟，其中该凹沟的侧壁的晶格方向为(111)，且该凹沟以第一方向延伸；外延层，设置于该凹沟的侧壁上；以及栅极，设置于该外延层上，并电性连接该外延层。
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