[发明专利]晶片表面加工处理方法在审
| 申请号： | 201611237333.1 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106736881A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 林岳明 | 申请（专利权）人： | 苏州爱彼光电材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B37/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215215 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶片表面加工处理方法，包括如下步骤对晶片进行研磨，得到研磨片；对研磨片的整面进行等离子蚀刻，得到蚀刻片；对蚀刻片进行抛光。上述晶片表面加工处理方法，在研磨之后采用等离子蚀刻，然后再抛光，这样可以快速对晶片进行减薄，并使加工处理之后的晶片表面形态良好，从而使整个加工处理过程耗时短、效率高，从而有利于提高器件生产的生产效率。还有，等离子蚀刻可以有效的均匀的去除晶片在研磨过程中累积的应力和表面损伤层。另外，研磨之后的晶体的表面粗糙度与等离子蚀刻后的晶体表面粗糙度、等离子蚀刻后的晶体表面粗糙度与抛光后的晶体表面粗糙度跨度均较小，避免了传统的精磨到抛光过程中表面粗糙度的跨越大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 表面 加工 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片表面加工处理方法，其特征在于，包括如下步骤：对晶片进行研磨，得到研磨片；对所述研磨片的整面进行等离子蚀刻，得到蚀刻片；对所述蚀刻片进行抛光。
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