[发明专利]屏蔽栅沟槽MOSFET的制备方法

摘要

本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制备方法，包括以下步骤：1）提供半导体衬底，在半导体衬底表面形成外延层；2）在外延层内形成沟槽，并在沟槽侧壁形成屏蔽氧化层；3）在形成有屏蔽氧化层的沟槽底部形成屏蔽多晶硅层；4）在沟槽内形成屏蔽材料层；5）向沟槽两边的侧壁进行第一掺杂类型的离子注入；6）去除部分屏蔽材料层；7）在屏蔽材料层上方的沟槽侧壁形成栅氧化层，并在沟槽内形成栅极多晶硅层；8）向栅氧化层两侧的第一掺杂类型的体区内进行第二掺杂类型的离子注入。本发明有效控制了漂移区与栅极多晶硅层的交叠长度及源极与栅极多晶硅层顶部的交替长度，从而实现了反向恢复电容及输出电容的稳定控制。

主权项

1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成外延层；2)在所述外延层内形成沟槽，并在所述沟槽侧壁形成屏蔽氧化层；3)在形成有所述屏蔽氧化层的所述沟槽底部形成屏蔽多晶硅层；4)在所述沟槽内形成屏蔽材料层，所述屏蔽材料层的顶部至所述沟槽顶部的距离与后续要形成的体区的厚度相同；5)向所述沟槽两边的侧壁进行第一掺杂类型的离子注入，以在所述沟槽两侧的所述半导体衬底内形成第一掺杂类型的体区；离子注入的方向与所述沟槽的侧壁具有倾斜夹角；6)去除部分所述屏蔽材料层，保留于所述屏蔽多晶硅层上方的所述屏蔽材料层的厚度小于所述屏蔽多晶硅层顶部至所述第一掺杂类型的体区底部的距离；7)在所述屏蔽材料层上方的所述沟槽侧壁形成栅氧化层，并在所述沟槽内形成栅极多晶硅层；所述栅极多晶硅层的顶部略低于所述半导体衬底的上表面；8)向所述栅氧化层两侧的所述第一掺杂类型的体区内进行第二掺杂类型的离子注入，以在所述第一掺杂类型的体区内形成第二掺杂类型的源极；离子注入的方向与所述沟槽的侧壁具有倾斜夹角。