[发明专利]利用高能电子辐照促进等规聚1-丁烯复合材料中晶型II-I转变的方法有效
| 申请号： | 201611238142.7 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108250594B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李景庆;蔡晓倩;蒋世春;尚英瑞 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C08L23/20 | 分类号： | C08L23/20;C08L23/06;C08J3/28 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开利用高能电子辐照促进等规聚1‑丁烯复合材料中晶型II‑I转变的方法，对等规聚1‑丁烯和低密度聚乙烯的共混复合材料进行高能电子辐照，采用高能电子辐射即可促进共混材料中iP‑1‑B中晶型II‑I转变。本发明适用于基于均聚iP‑1‑B的共混材料，采用较为简单的工艺过程，无需共聚或施加力场，可大大缩短此转变时间，在较快时间内达到较高的转化率，且无需共聚。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 高能 电子 辐照 促进 丁烯 复合材料 中晶型 ii 转变 方法 | ||
【主权项】：
1.利用高能电子辐照促进等规聚1‑丁烯复合材料中晶型II‑I转变的方法，其特征在于，对等规聚1‑丁烯复合材料进行高能电子辐照，等规聚1‑丁烯复合材料由等规聚1‑丁烯和低密度聚乙烯组成，低密度聚乙烯的质量百分数为0—15wt％且不等于零，高能电子辐照剂量为50—350KGy。
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