[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201611239033.7 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108258028B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 贺鑫;林曦;杨晓蕾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：刻蚀第一功函数层，保留位于第二P区、第一N区以及第二N区的第一功函数层；在刻蚀第一功函数层之后，在第一N区、第二N区、第一P区以及第二P区上形成第二功函数层；刻蚀去除第二N区的第二功函数层，直至暴露出所述第二N区的栅介质层；对所述第二N区的栅介质层进行氧空位钝化处理，降低所述第二N区的栅介质层内的氧空位含量；刻蚀去除所述第一N区的第二功函数层，直至暴露出所述第一N区的栅介质层；在所述第一N区和第二N区的栅介质层上、以及所述第一P区和第二P区的第二功函数层上形成第三功函数层。本发明降低了半导体结构形成工艺复杂性，节约了工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括用于形成第一N型器件的第一N区、用于形成第二N型器件的第二N区、用于形成第一P型器件的第一P区以及用于形成第二P型器件的第二P区，且所述第一N型器件的阈值电压小于第二N型器件的阈值电压，所述第一P型器件的阈值电压大于第二P型器件的阈值电压；在所述第一N区、第二N区、第一P区以及第二P区的基底上形成栅介质层以及位于所述栅介质层上的第一功函数层；刻蚀所述第一功函数层，保留位于所述第二P区、第一N区以及第二N区的第一功函数层；在刻蚀所述第一功函数层之后，在所述第一N区、第二N区、第一P区以及第二P区上形成第二功函数层；刻蚀去除所述第二N区的第二功函数层以及第一功函数层，直至暴露出所述第二N区的栅介质层；对所述第二N区的栅介质层进行氧空位钝化处理，降低所述第二N区的栅介质层内的氧空位含量；刻蚀去除所述第一N区的第二功函数层以及第一功函数层，直至暴露出所述第一N区的栅介质层；在所述第一N区和第二N区的栅介质层上、以及所述第一P区和第二P区的第二功函数层上形成第三功函数层。
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