[发明专利]鳍式场效晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201611242159.X | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108257870A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效晶体管及其制造方法。所述制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍部和栅极结构，所述鳍部成条状，所述栅极结构部分地横跨所述鳍部，所述栅极结构的两侧暴露出部分鳍部；刻蚀所述栅极结构的所述两侧的至少其中之一暴露出的所述部分鳍部；对经过刻蚀之后暴露出的所述鳍部的侧壁进行离子注入，以形成掺杂区；以及形成源极结构和漏极结构，所述源极结构和所述漏极结构分别位于所述鳍部的两侧。因此，在所述源极结构和所述漏极结构与所述鳍部之间形成掺杂区，以阻碍所述源、漏极结构中的掺杂离子向所述鳍部的横向扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍部 漏极结构 栅极结构 源极结构 鳍式场效晶体管 掺杂区 衬底 刻蚀 暴露 制造 掺杂离子 横向扩散 侧壁 横跨 离子 阻碍 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍部和栅极结构，所述鳍部成条状，所述栅极结构部分地横跨所述鳍部，所述栅极结构的两侧暴露出部分鳍部；刻蚀所述栅极结构的所述两侧的至少其中之一暴露出的所述部分鳍部；对经过刻蚀之后暴露出的所述鳍部的侧壁进行离子注入，以形成掺杂区；以及形成源极结构和漏极结构，所述源极结构和所述漏极结构分别位于所述鳍部的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
