[发明专利]一种高储能密度玻璃陶瓷薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201611243215.1 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106783811B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 谭飞虎;杜军;张庆猛;周昊 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;C03C10/02;C03B32/02;C23C14/35;C23C14/28;C23C14/10;C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高储能密度玻璃陶瓷薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)选择原料，配料，研磨，混合，所述原料为PbO，SrCO3，Na2CO3，Nb2O5和SiO2；将所述原料加热熔融，在模具中成型为片状物；(2)将步骤(1)制备的片状物进行可控结晶热处理，得到以铌酸盐陶瓷相为主晶相的玻璃陶瓷片，通过机械加工得到圆片靶材；(3)清洗重掺硅衬底，去除重掺硅表面的氧化层，得到基片，将所述基片和步骤(2)得到的靶材分别进行沉积；(4)通过光刻工艺制备规则图案，使用磁控溅射在靶材表面镀金3min，形成顶电极，在基片底部镀铝15min，使铝与重掺硅基片形成欧姆接触作为底电极，形成MIM结构的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高储能 密度 玻璃 陶瓷 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种玻璃陶瓷薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)选择原料，配料，研磨，混合，所述原料为PbO，SrCO3，Na2CO3，Nb2O5和SiO2；将所述原料加热熔融，在模具中成型为片状物；(2)将步骤(1)制备的片状物进行可控结晶热处理，得到以铌酸盐陶瓷相为主晶相的玻璃陶瓷片，通过机械加工得到圆片靶材；所述可控结晶热处理的工艺为：在600℃保温3h,再升温到900‑1000℃，保温3h；(3)清洗重掺硅衬底，去除重掺硅表面的氧化层，得到基片，将所述基片和步骤(2)得到的靶材分别进行沉积；所述沉积的工艺参数为真空度小于3.5×10‑4pa，通入0‑20pa的O2，沉积时间为0.5‑2h；(4)通过光刻工艺制备规则图案，使用磁控溅射在靶材表面镀金3min，形成顶电极，在基片底部镀铝15min，使铝与重掺硅基片形成欧姆接触作为底电极，形成MIM结构的电容；所述顶电极直径50‑500um。
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