[发明专利]随机动态处理存储器元件的形成方法

摘要

本发明公开一种随机动态处理存储器元件的形成方法，其包含以下步骤。提供基底，基底包含存储区及周边区。在基底的周边区上形成第一半导体层。接着，在基底上依序形成绝缘层与第二半导体层，第二半导体层覆盖基底、第一半导体层及绝缘层。随后，在第二半导体层上形成牺牲层，牺牲层在存储区及周边区的顶表面彼此齐平。之后，进行移除制作工艺，移除牺牲层、一部分的第二半导体层与一部分的绝缘层，以暴露第一半导体层，其中，在移除制作工艺后，第一半导体层的顶表面与第二半导体层的顶表面齐平。

主权项

1.一种随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于包含：提供一基底，该基底上包含存储区及周边区；在该基底的该周边区上形成一第一半导体层；在该基底上依序形成一绝缘层与一第二半导体层；在该第二半导体层上形成一牺牲层，该牺牲层在该存储区及该周边区的顶表面彼此齐平；以及进行一移除制作工艺，移除该牺牲层、一部分的该第二半导体层与一部分的该绝缘层，以暴露该第一半导体层，其中，在该移除制作工艺后，该第一半导体层的顶表面与该第二半导体层的顶表面齐平。