[发明专利]集成芯片与其形成方法有效
申请号: | 201611245732.2 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN107039478B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 黄信耀;洪丰基;王俊智;杨敦年 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开一些实施例关于集成芯片与其形成方法,集成芯片具有通孔支撑结构于接合垫下。集成芯片具有影像感测单元配置于基板中。接合垫区延伸穿过基板以达配置于介电结构中的第一金属内连线线路,接合垫区横向偏离影像感测单元,且介电结构沿着基板正面。接合垫配置于接合垫区中,并接触第一金属内连线线路。通孔支撑结构配置于介电结构中并具有一或多个通孔,且通孔与接合垫的间隔有第一金属内连线线路。一或多个其他通孔配置于介电结构中,并横向偏离接合垫区。通孔的尺寸大于其他通孔。 | ||
搜索关键词: | 集成 芯片 与其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种集成芯片,包括:一影像感测单元,配置于一基板中;一接合垫区,延伸穿过该基板,其中该接合垫区自该基板的背面延伸至一介电结构中的一第一金属内连线线路,且该介电结构沿着该基板的正面配置;一导电接合垫,配置于该接合垫区中并接触该第一金属内连线线路;一通孔支撑结构,配置于该介电结构中并包含一或多个通孔,且一或多个所述通孔与该导电接合垫的间隔有该第一金属内连线线路;以及一或多个其他通孔,配置于该介电结构中并横向偏离该接合垫区,其中一或多个所述通孔的尺寸大于一或多个所述其他通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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