[发明专利]一种修复硅片崩边的方法在审
| 申请号： | 201611245886.1 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106584285A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李飞龙;王珊珊;李巍;刑国强 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯光伏电力（洛阳）有限公司 |
| 主分类号： | B24C9/00 | 分类号： | B24C9/00;B24C1/08 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种修复硅片崩边的方法，在待修复硅片的两侧设置假片，待修复硅片位于假片中间，假片与待修复硅片在待修复硅片的厚度方向上叠置，各待修复硅片的侧边与其相邻待修复硅片的侧边对齐；使用莫氏硬度大于7的颗粒对待修复硅片的崩边进行修复。金刚线切割产生的崩边缺陷片中60~80%的崩边缺陷片能够通过本发明进行修复，且修复率达到60~80%修复后的硅片在电池端各项指标与正常A级片无差异；本发明成本低，设备投入小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 修复 硅片 方法 | ||
【主权项】：
一种修复硅片崩边的方法，其特征在于：在待修复硅片的两侧设置假片，待修复硅片位于假片中间，假片与待修复硅片在待修复硅片的厚度方向上叠置，各待修复硅片的侧边与其相邻待修复硅片的侧边对齐；使用莫氏硬度大于7的颗粒对待修复硅片的崩边进行修复。
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