[发明专利]一种利用SRAM存储器进行中子辐射环境监测的方法

摘要

本发明属于辐射探测领域，涉及一种利用SRAM存储器进行中子辐射环境监测的方法，包括以下步骤：1】对不同型号的SRAM存储器分别进行中子辐射标定，绘制数据翻转数与中子注量的关系曲线；2】筛选数据翻转数与中子注量呈线性关系的SRAM存储器型号N，并将拟合曲线的斜率作为所述SRAM存储器型号N的中子单粒子效应翻转截面；3】将型号为N的SRAM存储器置于待监测的中子辐射环境，绘制数据翻转数与辐射时间的关系曲线。本发明采用的方法是利用SRAM存储器的中子单粒子翻转效应所具有的线性、无阈的特点，实现反应堆、中子加速器等中子辐射环境的中子注量监测，实验结果表明，该方法在很低的中子注量条件下仍可以保持较高的测量准确性。

主权项

1.一种利用SRAM存储器进行中子辐射环境监测的方法，其特征在于：包括以下步骤：1】对不同型号的SRAM存储器分别进行中子辐射标定，绘制数据翻转数与中子注量的关系曲线；2】筛选数据翻转数与中子注量呈线性关系的SRAM存储器型号N，并将拟合曲线的斜率作为所述SRAM存储器型号N的中子单粒子效应翻转截面；3】将型号为N的SRAM存储器置于待监测的中子辐射环境，绘制数据翻转数与辐射时间的关系曲线；数据翻转数与所述中子单粒子效应翻转截面的比值用于表征中子辐射的累积注量；数据翻转数与时间的关系曲线的线性度用于表征中子辐射的注量稳定性；步骤1】具体包括以下步骤：1.1】选取要进行中子辐射标定的多种型号的SRAM存储器；1.2】选取一种型号的SRAM存储器进行全参数测试，筛选出参数差异性小于5％的样本，将得到的性能指标参数作为参考标准；1.3】从步骤1.2】筛选出的样本中任意选择多只SRAM存储器进行辐照实验，得到该型号SRAM存储器的电离辐射总剂量失效阈值；1.4】在步骤1.2】筛选出的剩余样本中任意选择多只SRAM存储器进行中子单粒子效应实验，绘制数据翻转数与中子注量的关系曲线；1.5】重复执行步骤1.2‑1.4】，直至完成全部型号SRAM存储器的数据翻转数与中子注量的关系曲线的绘制。