[发明专利]形成半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201611246910.3 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106935493B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 沈育仁;陈盈和;卢永诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本案揭露一种形成半导体装置的方法。此方法包含提供一前驱物，其具有一基板和位于基板上的栅极堆叠，而栅极堆叠各包含一电极层、一第一硬罩(HM)层在电极层上，和一第二HM层其在第一HM层上。此方法进一步地包含沉积一介电层在基板和栅极堆叠上，且填充栅极堆叠之间的空间；并且执行一第一化学机械平坦化(CMP)程序以部分地移除介电层。此方法更进一步地包含执行一蚀刻程序以移除第二HM层且部分地移除介电层，借以暴露第一HM层。此方法更进一步地包含执行第二CMP制程直到至少部分地移除第一HM层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包含：提供一前驱物，其具有一基板和多个栅极堆叠于该基板上，其中所述多个栅极堆叠的各者包含一电极层，一第一硬罩(HM)层在该电极层上，和一第二HM层在该第一HM层上；沉积一介电层在该基板和该栅极堆叠上，且填充所述多个栅极堆叠之间的空间；执行一第一化学机械平坦化(CMP)制程以部分地移除该介电层；执行一蚀刻制程以移除该第二HM层，且部分地移除该介电层，借以暴露该第一HM层；以及执行一第二CMP制程以至少部分地移除该第一HM层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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