[发明专利]电光器件在审
| 申请号： | 201611248546.4 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106784073A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 林岳明 | 申请（专利权）人： | 苏州爱彼光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215215 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电光器件，包括复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；开关结构层，由生长在所述蓝宝石衬底层上的氮化镓晶体形成；以及器件主体结构，包括键合于所述硅衬底层上的电光晶体层。上述电光器件，由于采用氮化镓基晶体管的开关结构层，与Si基晶体管相比，可以降低待机功耗并且可以提高工作频率。上述电光器件中的开关结构层，采用蓝宝石衬底层与硅衬底层键合而成的复合衬底，这样可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的氮化镓晶体，从而有利于获得高质量的开关结构层，进而有利于制造出性能优异的电光器件；同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 器件 | ||
【主权项】：
一种电光器件，其特征在于，包括：复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；开关结构层，由生长在所述蓝宝石衬底层上的氮化镓晶体形成；以及器件主体结构，包括键合于所述硅衬底层上的电光晶体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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