[发明专利]封装件及其形成方法有效
| 申请号： | 201611253338.3 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN107492532B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 陈志华;陈玉芬;刘重希;余振华;蔡豪益;黄育智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/50;G06K9/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种封装件包括传感器管芯和将传感器管芯密封在其中的密封材料。密封材料的顶面与传感器管芯的顶面大致共面或高于传感器管芯的顶面。多个感测电极高于传感器管芯和密封材料。多个感测电极被布置为多个行和列，并且多个感测电极电连接至传感器管芯。介电层覆盖多个感测电极。本发明的实施例还涉及形成封装件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种封装件，包括：传感器管芯；密封材料，将所述传感器管芯密封在所述密封材料中，其中，所述密封材料的顶面与所述传感器管芯的顶面共面或高于所述传感器管芯的顶面；多个感测电极，位于所述传感器管芯和所述密封材料上方，其中，所述多个感测电极布置为多个行和列，并且所述多个感测电极电连接至所述传感器管芯；以及第一介电层，覆盖所述多个感测电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611253338.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造半导体器件的方法和对应的器件
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
