[发明专利]等离子体刻蚀方法与等离子体刻蚀装置及其射频源系统有效
| 申请号： | 201611253676.7 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269726B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 赵馗;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 潘朱慧 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种等离子体刻蚀方法与等离子体刻蚀装置及其射频源系统，用以改善射频功率输出的稳定性。其中的等离子体刻蚀方法，包括多个工作周期，每一周期包括两个阶段：第一阶段，施加并保持偏置功率(P)与射频功率(P1)；第二阶段，设置偏置功率为零，同时调高射频功率(P2)；在所述周期内，射频功率的频率保持不变。更优的实施方式是，在所述周期内保持等离子体阻抗稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 方法 装置 及其 射频 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司，未经中微半导体设备（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611253676.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
