[发明专利]一种在电感耦合等离子体处理装置内点燃等离子体的方法在审
| 申请号： | 201611254385.X | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108271308A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 庞晓贝;饭塚浩;刘小波 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 潘朱慧 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在电感耦合等离子体处理装置内点燃等离子体的方法，所述处理装置包括一处理腔，一射频功率源及一射频偏置功率源，所述射频偏置功率源通过一射频匹配网络施加到所述处理腔内部用于支撑基片的基座上，所述射频匹配网络包括两个可变电容，所述方法包括下列步骤：设置一电压测量装置用于测量基座表面的电压；控制所述射频偏置功率源输出第一射频功率，调节两可变电容的大小，使得所述射频偏置功率源在基座表面产生大于200伏的电压；控制所述射频功率源输出第二射频功率，保持所述可变电容大小不变，所述第二射频功率在所述第一射频功率的辅助下实现等离子体的点燃。 | ||
| 搜索关键词： | 射频偏置功率源 射频功率 等离子体 处理装置 可变电容 电感耦合等离子体 射频匹配网络 射频功率源 基座表面 处理腔 点燃 电压测量装置 支撑基片 输出 测量 施加 | ||
【主权项】：
1.一种在电感耦合等离子体处理装置内点燃等离子体的方法，所述处理装置包括一处理腔，以及将射频功率施加到所述处理腔内的一射频功率源及一射频偏置功率源，所述射频功率源通过一电感耦合线圈将射频功率耦合到所述处理腔内，所述射频偏置功率源通过一射频匹配网络施加到所述处理腔内部用于支撑基片的基座上，所述射频匹配网络包括两个可变电容，其特征在于：所述方法包括下列步骤：设置所述射频偏置功率源输出第一射频功率，所述射频功率源输出第二射频功率，调节两可变电容的大小；监测所述处理腔内等离子体点燃情况，当监测到等离子体点燃时，记录可变电容的大小；在后续点燃等离子体的步骤中，保持所述可变电容大小不变，所述第二射频功率在所述第一射频功率的辅助下实现等离子体的点燃。
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