[发明专利]焊垫下电路结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201611254790.1 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN108269776A 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 张荣麟 申请(专利权)人: 应广科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 张一军;赵静
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提出一种焊垫下电路(circuit under pad,CUP)结构及其制造方法。CUP结构包含:元件层,形成于基板上,包括多个元件;至少一金属层,形成于元件层上;多个连接层,形成于金属层与元件层间,与至少一金属层间,用以电连接金属层与元件层,并用以电连接至少一金属层;以及焊垫层,形成于相对最上方的连接层上,用以连接焊球;其中,元件层包含禁止区,禁止区不包括任何元件,且禁止区的范围根据打线接合的工艺步骤中的至少一参数、焊电层的厚度、金属层的厚度、或连接层的厚度而定义,用以避免打线接合的工艺步骤损害元件。
搜索关键词: 金属层 元件层 连接层 打线接合 工艺步骤 焊垫 电连接金属 电路结构 电连接 焊垫层 电层 焊球 基板 制造 电路 并用 损害
【主权项】:
1.一种焊垫下电路CUP结构,其特征在于,包含:一元件层,形成于一基板上,包括多个元件;至少一金属层,形成于该元件层上;多个连接层,形成于该金属层与该元件层间,与该至少一金属层间,用以电连接该金属层与该元件层,并用以电连接该至少一金属层;以及一焊垫层,形成于相对最上方的该连接层上,用以连接一焊球;其中,该元件层包含一禁止区,该禁止区不包括任何该元件,且该禁止区的范围根据一打线接合的工艺步骤中的至少一参数、该焊电层的厚度、该金属层的厚度、或该连接层的厚度而定义,用以避免该打线接合的工艺步骤损害该多个元件;其中,该元件包括一接面二极管、一金氧半MOS晶体管或/且一双极晶体管。
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