[发明专利]表膜及其制造方法在审
| 申请号： | 201611255242.0 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106997847A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 马正鑫;吴小真;杨棋铭;陈其贤;林志诚;林云跃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例揭示一种表膜及其制造方法。制造表膜的方法包括提供支撑衬底；形成氧化物层于支撑衬底上方；形成金属层于氧化物层上方；形成石墨烯层于金属层上方；以及去除支撑衬底与氧化物层的至少一部分。一种相关的方法包括提供支撑衬底；形成第一碳化硅SiC层或钻石层于支撑衬底上方；形成石墨烯层于SiC层或钻石层上方；以及去除支撑衬底与第一碳化硅SiC或钻石层的至少一部分；其中表膜对于极紫外EUV辐射为具有至少部分可穿透性。本揭露还提供相关的表膜。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造表膜的方法，其包含：提供支撑衬底；形成氧化物层于所述支撑衬底上方；形成金属层于所述氧化物层上方；形成石墨烯层于所述金属层上方；以及去除所述支撑衬底与所述氧化物层的至少一部分。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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