[发明专利]纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201611255799.4 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106601790A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;姜丽娟;冯春;王权;肖红领;王翠梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/201;H01L29/207;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构及其制作方法，晶体管结构包括一衬底，在衬底上依次生长形成成核层、第一有意掺杂层、第一非有意掺杂层、第二有意掺杂层、第二非有意掺杂层、非有意掺杂高迁移率层、非有意掺杂氮化铝插入层、非有意掺杂铝镓氮势垒层和非有意掺杂氮化镓盖帽层。本发明采用多次掺杂结构缓冲层，代替传统的单次掺杂结构缓冲层，可以解决单次掺杂产生的Fe浓度分布梯度大、近缓冲层表面处电阻率低的缺点和容易发生漏电等缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 纵向 调制 掺杂 氮化 场效应 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构，包括一衬底，其特征在于，包括在所述衬底上依次生长的成核层、第一有意掺杂层、第一非有意掺杂层、第二有意掺杂层、第二非有意掺杂层、非有意掺杂高迁移率层、非有意掺杂氮化铝插入层、非有意掺杂铝镓氮势垒层和非有意掺杂氮化镓盖帽层。
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